本标准规定了 P 型单晶硅片的电性能、外观尺寸、外观质量技术要求、标志、包装、存储等规定。

本标准适用于 P 型 掺硼 158.75mm×158.75mm、166mm×166mm 及 182mm×182mm 太阳能级单晶硅片的

检验。

硅片厚度：硅片中心点厚度为硅片的标称厚度。

总厚度变化（TTV:Total Thickness Variation）：硅片的厚度最大值与最小值之差，称作硅片的总厚度变化。

弯曲度：硅片中心面偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度。

崩边（硅落/硅脱）：硅片边缘呈现的单面局部破损称为崩边，也称为硅落，硅脱。

缺口：硅片边缘呈现贯穿两面的局部破损称为缺口。

裂纹：硅片内部存在的细小的裂缝。

锯痕：硅片在切割过程中产生的切割痕迹，称为锯痕，又称为线痕。

沾污：硅片表面上肉眼裸视可见的各种外来异物的统称。

孔洞：贯穿硅片两面的无规则、大小不等的小孔。

翘曲：硅片表面扭曲的形变量与中心轴之间的差值（可以理解为局部正弦波波峰与波谷的距离）。

亮线：硅片表面锯痕深度小于 15μm，肉眼可分辨其亮度明显高于正常硅片表面颜色的条状物或块状物。

划伤：硅片表面锯痕深度小于 15μm，肉眼可分辨其亮度明显高于正常硅片表面颜色的片状物。

金刚线切割硅片

Properties 內容

Parameters 参数

项目

规格

检测方法或依据

Dopant 掺杂剂

Boron

ASTM F42

Dislocation Density 位错密度

≦500/cm2

金相显微镜

Carbon Concentration 碳含量

Max 1.0E17 atoms/cm3

FIRT(红外探测)

Oxygen Concentration 氧含量

Max 8.5E17 atoms/cm3

FIRT（红外探测）

Resistivity 电阻率

0.5-1.5 ?.cm

硅片自动分选机

Conductivity type 导电类型

P 型

P/N 测试仪

Crystal Orientation 晶向

（100)±3°

X 射线定向仪器

Life time (Brick level)少子寿命

≥50us

Sinton 少子寿命测试仪

光致衰減

≦2.0%

5KWH/㎡

边长(mm)

158.75±0.25

166±0.25

182±0.25

硅片分选机

直径(mm)

223±0.25

223±0.25

247±0.25

硅片分选机

圆弧长度(mm)

1.5±0.5mm

12.07±0.5mm

10.62±0.5

硅片分选机

弦长投影(mm)

1.07±0.5mm

8.55±0.5mm

7.51±0.5

硅片分选机

倒角边长偏差（

mm）

<0.4

<0.4

<0.4

硅片分选机

垂直度

90°±0.3

90°±0.3

90°±0.2

硅片分选机

Thickness (T)

中心厚度

165+20/-10

Average>165

硅片分选机

160+20/-10

Average>160

TTV

总厚度变化

≤30um

硅片分选机

Bow

翘曲度

≤50um

硅片分选机

线痕

深度（单位：μm） ≤15

硅片分选机

色差、亮线、划伤等

不允许

Naked eyes

目测

硅晶脱落、缺口、孪晶、裂纹、

沾污、针孔、 [surface chips, edge

breakage (indents), twin crystal,

crack, stain, pinhole]

不允许

Naked eyes

目测

硅片分选机

Indentation

崩边

长 ≤0.5 mm，深 ≤0.3 mm，每

片不能超过 1 个，无有 V 型崩

边

Naked eyes

目测

Surface quality

表面质量

Cleaned, no grease stains

表面清洁，没有油污

Naked eyes

目测

Package

包装

600pcs/package

600 片/盒

每 150 片用硫酸纸及珍珠棉隔

开

Labels

标识

Neutralor Customer requirements

中性或客户指定