品名 | S 单晶方棒规格书 |
Properties 內容 | Parameters 参数 | Inspection Method 测试方法 |
Electric & Chemical 电性能及化学性能 | ||
Dopant 掺杂剂 | Gallium | ASTM F42 |
Dislocation Density 位错密度 | ≦500/cm2 | 金相显微镜 |
Carbon Concentration 碳含量 | Max 5.0E16 atoms/cm3 | FIRT(红外探测) |
Oxygen Concentration 氧含量 | Max 8.0E17 atoms/cm3 | FIRT（红外探测） |
Resistivity 电阻率 | 0.4- 1.1 ? .cm | 四探针电阻率测试仪 |
Conductivity type 导电类型 | P 型 | P/N 型测试仪 |
Crystal Orientation 晶向 | （100)±3° | ASTM F26 |
Crystal imperfection 晶体缺陷 | 孔洞、应力、孪晶、黑心、同心圆、黑角等不允许 | 硅片分选机/PL 测试仪 |
Life time 少子寿命 | ≧75μs | Sinton BCT-400 |
Geometry & Surface 尺寸和外观 |
项目 | G1 | M6 | M10 | G12 | 游标卡尺 |
Length of wafer 硅片边长（mm） | 158.75±0.25 | 166±0.25 | 182±0.25 | 210±0.25 | 游标卡尺 |
Diameter 直径（mm） | 223±0.25 | 223±0.25 | 223±0.25 247±0.25 | 295±0.25 | 游标卡尺 |
Arc length 圆弧长度（mm） | 1.5±0.5 | 12.0±0.5 | 10.6±0.5 | 2.0±0.5 | 角度尺 |
Chord length projection 弦长投影（mm） | 1.07±0.5 | 8.55±0.5 | 7.51±0.45 | 1.41±0.5 | 游标卡尺 |
Chamfer difference 倒角差（mm） | ≤0.4 | 游标卡尺 | |||
Shape wafer edges 垂直度（mm） | 90±0.2° | 角度尺 |
Length 长度（mm） | 200-845 | 直尺 |
Perpendicularity 端面垂直度 | <1mm | 角度尺、塞尺 |
Chipping 崩边 | 头、尾崩边各不超过 1.5mm，表面及倒角崩边不允许 | 直尺 |
Surface Quality 表面质量 | 方锭表面光洁、无沾污、无杂质、无色差、无黑斑、无打磨 斑、无长条状黑印、无水渍残留 | 目测 |
1、磨面平整度（弯曲度＜0.1mm)； 2、无明显划痕、磨痕、线痕（痕深 Ra＜0.2um) | 表面粗糙度测试仪 SJ210、刀口尺、塞尺、 目测 | |
1、倒角光滑度与硅棒表面一致； 2、晶棒两端面塌边长≤1.5mm，不允许有圆弧与面交接处无棱 异常。 | 直尺、刀口尺、塞尺； 目测 |
Package 包装 |
Outer package 外包装 | 1、包装需确保硅锭安全，能防止硅锭碰撞或滑动等造成硅锭 的损坏及表面异常； 2、应按硅锭长度选择适当的包装方式。 | 目测 |
Identification 标识 | 1、硅锭头部应标识有锭号； 2、每根棒有合格标签，上面标有锭号、长度和重量等信息； 3、外箱要求有产品类型、供应商和锭号等标识。 | 目测 |
Remark 备注 | 1、有效长度：硅锭的实测长度减去包括但不限于崩边、线痕等其它影响切割成品率长 度后的长度。 2、最终参数以实际到硅锭评价单为准。 3、按照乙方模板提供来料清单。 4、因来料棒长原因导致的截断，刀缝损失由供方承担。 | |
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